Intel a anuntat saptamana aceasta ca are de gand ca pana la sfarsitul anului sa inceapa productia in masa a tipului de memorie cu schimbare de faza (Phase Change Memory) cunoscuta si sub numele PRAM sau PCM.

Memoria PRAM este una non-volatila, adica isi pastreaza informatia si fara sursa de curent, si, datorita numarului mare de cicluri de scriere, in jurul a 100 de milioane, se pozitioneaza ca un concurent serios al formatului Flash. Memoriile Flash sunt folosite in momentul de fata in domenii foarte variante, cel al stocarii portabile fiind aproape monopolizat de acestea. Dupa primele demonstratii, Intel a declarat ca informatia este pastrata de celulele PRAM mai bine de zece ani, iar temperatura maxima la care pot functiona ajunge la 85 de grade. Chip-urile vor fi produse in procesul tehnologic pe 90nm si vor avea un consum energetic comparabil cu cel al concurentelor Flash.

Memoria PRAM are la baza o proprietate al unui tip de sticla de a-si schimba starea fizica din cristalin in amorf care pot fi transpuse in limbaj binar, 1 si 0. Schimbarea starii celulelor de memorie se produce prin intervenirea cu o sursa de caldura. Cele doua stari au rezistente electrice foarte diferite, ce pot fi interpretate usor de un calculator. Astfel, starea amorfa are o rezistenta mare si este citita ca 0. In contrast, starea cristalina este interpretata 1 ca urmare a rezistentei electrice foarte scazute. Tehnici similare sunt folosite la fabricarea discurilor optice reinregistrabile (DVD-RW, CD-RW) pentru pastrarea informatiei.

(www.dailytech.com)